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  • MEMS衰減器
    MEMS衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：

    瀏覽量：1483

    MEMS衰減器基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的動(dòng)態(tài)可調(diào)光衰減器(Dynamic Variable Optical Attenuator——簡(jiǎn)稱DVOA)是實(shí)現(xiàn)全光網(wǎng)中功率調(diào)節(jié)的重要元件。
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  • MEMS可調(diào)光衰減器
    MEMS可調(diào)光衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：

    瀏覽量：1812

    MEMS可調(diào)光衰減器基于微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）的動(dòng)態(tài)可調(diào)光衰減器(Dynamic Variable Optical Attenuator——簡(jiǎn)稱DVOA)是實(shí)現(xiàn)全光網(wǎng)中功率調(diào)節(jié)的重要元件。
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  • ZG-VOA-NSC波段高速可調(diào)光衰減器
    ZG-VOA-NSC波段高速可調(diào)光衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

    瀏覽量：1805

    C波段高速可調(diào)光衰減器 簡(jiǎn)介 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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  • ZG-VOA-NSC波段高速光衰減器
    ZG-VOA-NSC波段高速光衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

    瀏覽量：1687

    C波段高速光衰減器 簡(jiǎn)介 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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  • ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器1310nm
    ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器1310nm

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

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    硅基納秒高速光衰減器1310nm 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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  • ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器1550nm
    ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器1550nm

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

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    硅基納秒高速光衰減器1550nm 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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  • ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器
    ZG-VOA-NS硅基納秒高速光衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

    瀏覽量：1627

    硅基納秒高速光衰減器 簡(jiǎn)介 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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  • ZG-VOA-NS納秒高速光衰減器
    ZG-VOA-NS納秒高速光衰減器

    更新時(shí)間：2024-12-24

    型號(hào)：ZG-VOA-NS

    瀏覽量：1411

    納秒高速光衰減器 簡(jiǎn)介 具備支持暗光（Dark）型能力，功耗更低、切換速度更快等特性。硅基VOA陣列器件內(nèi)部為全固態(tài)芯片，具有百納秒級(jí)的響應(yīng)速度，八通道單片集成，功耗低，滿足光傳輸、光傳感系統(tǒng)對(duì)光衰減器高速響應(yīng)、小型化、高可靠的需求。其響應(yīng)速度比傳統(tǒng)VOA提升4個(gè)數(shù)量級(jí)，達(dá)到100ns級(jí)，使WDM光網(wǎng)絡(luò)中光功率快速控制成為可能。此外，其超低的光損耗可滿足民用光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用要求，集成度有助于大
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